EMBRACE THE NEW ERA OF INDUSTRY
来源: 日期:2021-04-26
一、研究背景
1、什么是微电子封装技术?
通过一定的连接技术将芯片、半导体元件、板卡和电路板等进行布置,粘结固定来组装完成整电子产品的过程,包含了从开始制作硅晶圆片到电子产品组装完成的整个过程。
2、微电子封装技术发展历史
1947年,世界上第一只晶体管在美国贝尔实验室诞生,微电子封装技术发展不断进步,主要经历了四次重大技术变革,第一次发生在20世纪60年代,以双列直插式封装为代表的插装技术的出现,代表集成电路进入通孔插装时代,通过钎焊的方法实现IC芯片的组装。(IC功能不强、引脚数少、封装密度不高)第二次发生在20世纪七八十年代,出现了表面贴装技术,用引线代替针脚,将引线设计为翼型或丁形,从封装体两边或四边引出(多尺寸、多引脚)。第三次在二十世纪末,随着IC集成度不断提高,业界推出以焊球代替引线,按面积阵列的分布的SMT技术。典型的有BGA封装(I/O引脚通过球状或柱状金属焊点阵列分布在基板底部,实现芯片与外部PCB板等的连接,可提供更多的引脚,实现高密度封装)。为了解决芯片尺寸和封装面积的不匹配问题,提出芯片级封装CSP,即封装尺寸和芯片具有相同或稍大的尺寸,还有晶圆级封装WLP。进入本世纪,电子封装开始在之前二维封装的基础上向垂直方向发展,形成了以堆叠PoP和硅通孔TSV为代表的三维封装技术,由此进入三维高密度封装时代(上下层采用互连方式,有效缩短引线长度,减少传输延迟,降低功耗,提高可靠性)。
△图1:微电子封装技术发展史
备注:
DIP:双列直插式
PGA:插针网格阵列式
QFP:方形扁平式(四边有脚向外延)
TSOP:薄型小尺寸
BGA:球栅阵列式
CSP:芯片级
WLP:晶圆级封装
Stacked Die:堆叠式
3、什么是焊点失效性分析?
由于互连焊点为微电子封装提供了关键的机械支撑和电气互连,同时,微电子封装失效大部分是由焊点的失效引起的。所以,对于微电子封装可靠性的研究主要是分析焊点的失效性。目前,这方面大多侧重于由于温度引起的热疲劳失效,而对振动下的热振耦合疲劳分析较少。当今电子器件广泛使用在汽车、船舶、航空航天等更为严苛的环境中,往往受到温度、湿热、振动和冲击等载荷作用而导致失效。所以,封装可靠性对于电子产品的设计意义非常重大。
△图2:影响微电子封装可靠性的主要因素
4、 焊点失效的四种模式:
4.1 热交变应力破坏失效
• 温度变化
• 材料蠕变损伤
• 变形与裂纹扩展
4.2 疲劳破坏失效
•由振动载荷引起的高周疲劳失效
4.3 化学因素腐蚀破坏失效
• 水分、氧气其他离子
• 化学反应腐蚀
• 粘结强度等机械性能降低
4.4 动态机械载荷破坏失效
• 跌落、冲击和振动
• 开裂、脆裂等损伤
二、研究内容
△图3:焊点热耦合疲劳仿真分析内容
1、基本力学参数的获取
• 调研焊点、焊脚的材料属性
• 试验获取引脚、锡焊、锡焊界面(金属化合物)的力学性能参数
• 拟合界面相(金属化合物)材料的本构关系
2、疲劳数据库的建立
• 通过疲劳试验建立材料、界面相的疲劳特性曲线
• 建立单个焊点的有限元分析模型
• 加载循环载荷预测焊点的疲劳寿命与失效位置
• 通过与实验比较,对有限元分析模型进行验证
△图4:不同封装结构下无铅SAC305焊点的S-N曲线
3、整机仿真模型
一般而言,在有限元模态分析中,系统的固有频率会随着网格密度的增加而降低至一个稳定的收敛值,为了找到合适的网格划分密度,需要对其进行网格收敛性检查。振动试验载荷一般有正弦、窄带随机和宽带随机三种,PCB边界条件有四角四点固支,端部四点固支,六点固支,中间四点固支以及中间两点固支。
3.1 有限元模型建模
△图5:焊点有限元建模
3.2 组件中各层材料参数设置
考虑到振动过程中焊点发生的一般是弹性形变,无需考虑材料的蠕变参数,各组分材料从上往下依次按照模塑料、封装基板、Cu焊盘(Cu)、焊球(SAC305)、PCB板(FR-4)赋予。
3.3 有限元模型网格划分
• 非重要部位网格划分较粗,对焊点等关心部位严格采用高质量网格划分方法;
• 网格收敛性检查。
3.4 模型验证
通过模态试验和有限元模态分析,将整体固有频率和固有振型进行对比,从而验证有限元模型的正确性。
3.5 边界条件设置
不同输入及PCB边界条件对焊点振动疲劳可靠性将会产生影响——外因
3.6 测试与建立仿真模型
• 测试确定产品仿真等效阻尼
• 测试确定产品等效材料模型
• 建立整体振动响应分析仿真模型
△图6:关键焊点有限元分析
4、振动实验与数值模拟方法研究(模型验证)
• 测算PCB中心挠度值
• 随机振动试验
• 实验与仿真结果的对比
5、热振耦合条件下焊点失效机理研究
5.1 板级热振耦合实验设计(将PCB板组装到振动台)
5.2 热振耦合条件下温度载荷设定
5.3 板级热振耦合实验结果与数值仿真
△图7:不同PCB板不同温度循环之后的功率谱密度
△图8:五个循环后计算功率谱密度与测试功率谱密度比较
△图9:热振耦合后的焊点开裂行为
6、焊点损伤机理研究
• 基于疲劳实验与SEM研究损伤起源与扩展
• 观察裂纹早期位置研究裂纹萌生规律
• 通过观察焊点完全失效路径研究裂纹扩展路径
• 分析裂纹在层间扩展路径研究焊点破坏模式
△图10:热振耦合后的焊点开裂行为
备注:
IMC是Intermetallic compound之缩写,笔者将之译为"介面合金共化物"。广义上说是指某些金属相互紧密接触之介面间,会产生一种原子迁移互动的行为,组成一层类似合金的"化合物",并可写出分子式。在焊接领域的狭义上是指铜锡、金锡、镍锡及银锡之间的共化物。其中尤以铜锡间之良性Cu6Sn5(Eta Phase)及恶性Cu3Sn(Epsilon Phase)最为常见,对焊锡性及焊点可靠度(即焊点强度)两者影响最大。
7、焊点微结构演化机理
7.1 焊球老化与时间的关系
△图11:SAC焊球随老化时间变化剪切力变化
7.2 SAC焊料与时间的关系
△图12:不同老化时间SAC焊料IMC演化规律